成果信息

该技术和传统的芯片制备工艺完全兼容，仅增加溅射和激光诱导两道工序；采用该技术后，GaN 蓝色（或白色）LED的性能将得到大大改善：如正向的工作电压将从目前国内的3.5V左右降低到3.2V，发光效率和发光功率都将得到提高。研发生产具有自主知识产权的超高亮度GaN基LED芯片是适应当前的LED形势，具有很大的发展前景和良好的经济效益。)

背景介绍

半导体LED（发光二极管）具有发光效率高、多色、节能、寿命长、响应快、体积小、全固化、冷光源（不发热）、绿色环保（无污染）、驱动容易等许多优点，广泛应用于各种信号和图像的显示。近年来国际上在GaN基材料上取得突破进展，研制出高效率的蓝色和白色高亮度LED，不但能实现大屏幕全彩色显示，而且有可能取代目前的白炽灯、荧光灯等用于照明工程，从而彻底改变目前人类的生活。)

应用前景

超高亮度GaN基LED芯片的制备适用于半导体LED（发光二极管）芯片生产，经济效益显著，应用前景广阔。)