成果信息

该项目采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器，具有优良的可见光盲、漏电低、灵敏度高的特性，其探测波长范围在200-380nm、响应度约130mA/W、结电容约10fP、漏电流小于1pA、TO46金属管平面光窗封装。SiC紫外光电探测器的制备需要比较完整的半导体工艺线，其制备工艺包括清洗、光刻、氧化、干法刻蚀、溅射金属、退火、划片到封装等过程，部分工艺要在较高的清洁度的洁净室内完成。)

背景介绍

光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变，光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面，为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等；其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。)

应用前景

该项目可用于大气中的紫外强度告警、可燃气体成分分析及医学紫外荧光检测等，应用范围较广，经济效益显著。)