成果信息

本发明涉及一种碳化硅纳米线的制备方法领域。本发明所述的碳化硅纳米线的制备方法如下：将不含氧的碳硅烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或刚玉舟放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以6－15sccm的速率通入惰性气体保护，以5－15℃/min的速度将炉温升到1000－1100℃，保温1－3小时后自然降到室温。由本发明所述的碳化硅纳米线的制备方法所得产物均为碳化硅纳米线，长度比现有的方法制备的碳化硅纳米线提高了2个量级，且制备方法简单，原料便宜易得，设备要求简化，成本低。)

背景介绍

SiC具有强度高、抗氧化、耐腐蚀、导热性好及热膨胀系数低等特性，可应用在机械、电子、化工、能源、航空航天及环保等众多领域。与宏观尺度的SiC相比，纳米SiC还具有室温条件下光致发光的性能，是优良的场发射阴极材料；此外，纳米SiC具有储氢、光催化和吸收雷达波等性能，在储能、光催化和隐身材料等领域也具有非常广阔的应用前景。 )

应用前景

SiC一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多独特的优异性能和更加广泛的应用前景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。其主要广泛应用于：制造结构器件的冶金、化工、机械、航天及能源等行业中使用的滑动轴承、液体燃料喷嘴、坩埚、大功率高频率模具、半导体元器件、以及金属及其它材料表面处理、复合材料等领域。 )