成果信息

本项目研究高性能、低功耗、高集成度、大容量、长寿命的相变存储器件技术，以取得高速、低功耗相变存储器关键技术和工艺的突破，使我国在世界产业化前拥有一些核心技术以及自主知识产权，力求为我国半导体集成电路产业的可持续发展作出重大贡献。国内一些研究部门也在进行相变随机存储器技术研究，但多停留在相变存储器存储材料与存储阵列研制阶段，高速、低功耗相变存储器芯片研制开发工作在国内还未能全面展开,与国际研究先进水平还有很大距离。本项目研究团队已成功研制出我国首片具有完全自主知识产权的相变存储器功能芯片，并在相变存储器的写速度研究方面处于世界先进水平（低于5纳秒），同时还申请了2个相变存储器集成电路设计版图、2项相变存储器及测试设备发明专利，还有多项国家及国际发明专利即将提交。 )

背景介绍

相变随机存储器具有非易失性、高速、低功耗、读写寿命长、抗辐射、能与CMOS工艺很好地兼容等优点，是下一代大容量半导体信息存储器件。相变随机存储器是以硫属化合物为储存介质，利用电流产生的热量使材料在晶态（低阻）与非晶态（高阻）之间相互转换实现信息的写入和擦除，信息的读出则靠测量电阻的变化来实现。作为下一代信息存储芯片，相变随机存储器实现产业化后，可取代闪存、DRAM、SRAM而成为通用型存储器件，还可制成场编程逻辑器件、嵌入式存储器和抗辐射存储器等。)

应用前景

该项目目前在世界范围都还未实现产业化，相变存储器功能芯片的研制成功对于改变当前我国集成电路产业没有核心技术只能接订单代工的局面及提升我国存储器芯片生产企业的可持续发展能力和核心竞争力具有重要意义。此项研究成果受到吴邦国、习近平、刘延东、万刚、徐匡迪等党和国家领导人的高度赞赏。据美国ECD公司分析，相变存储器的大批量生产，将能在世界年产值为1400亿美元巨大器件市场占很大份额，其市场应用价值与经济效益显著。 )