成果信息

利用等离子体导电建立大面积导流通道的大功率超高速半导体开关RSD（Reversely Switched Dynistor）避免了开通的局部化现象，其di/dt约为105A/μS，峰值电流可高达数十千安至数百千安，样品已具有较好的开通特性，短期内可望实现成果转化。 大功率半导体开关是等离子体导电、大面积同时开通，有较高的开关电流和很高的电流变化率，di/dt可达105A/μS；可开通200KA的峰值电流（脉宽50μS），RSD堆体电压可作到30－80KV；发射在1010以上，使用寿命长、不劣化、可靠性好；控制方便，不需要均压，理论上可实现无限串联；功率大、损耗较真空管小两个量级,效率高。 )

背景介绍

在涉及进行巨大功率试验的许多近代物理领域以及一系列技术领域中常常需要在微秒、纳秒以及亚纳秒的时间范围内对巨大的电功率（由兆瓦到太瓦）进行换流，这种大功率快速换流通常都用气体放电器件来实现。然而这种器件存在着原理上的缺陷，这是由气体放电的性质本身决定的。首先是协调工作的不稳定性，使得复杂系统难于同步；其次是使用期不长，电极易损坏；此外，气体放电器件维护复杂，不够可靠，易受外部因素干扰。)

应用前景

该项目大功率超高速半导体开关RSD先后得到两项国家自然科学基金的资助，主要应用在国防、工业领域，市场发展应用空间广阔。)