成果信息

本成果涉及一种基于自离子注入SOI材料的近红外室温发光器件，属于光电子技术领域。本发明的发光器件在1.50-1.60μm范围的室温强发光，器件基于缺陷环及缺陷环附近点缺陷的发光，发光器件结构从下往上分别是本征Si衬底→注氧的氧化Si隔离层→p+型Si下电极层→发光有源层→n+型Si上电极层，发光器件的外量子效率为0.05% ～0.8% 。 本发明突出的优点为： 1、基于SOI的p-i-n结上制备的发光器件继承了SOI结构所具有的各种优点，其中离子注入区域和发光有源层都在硅薄膜层； 2、获得的发光器件在室温下能稳定发光，解决了近红外LED器件和激光器低温才能正常工作的问题； 3、本发明提高了器件的外量子效率，可以达到0.05% -0.8%的范围，从而增强了器件的发光强度。 )

背景介绍

SOI(Silicon On Insulator)材料是为了满足卫星、导弹、飞船航天电子控制系统的需要而发展起来的一种新型硅材料。采用这种材料制作的SOI— CMOS(Complementary Metal-Oxside-Semiconduator)电路，实现了完全介质隔离，具有无锁定、高速度、低功耗和强的抗福射能力等重要优点。因而受到世 界各发达国家的高度重视。)

应用前景

目前，基于离子注入SOI材料的近红外室温发光器件能够获得外量子效率为0.05% -0.8%的稳定的室温发光，并且国内对离子注入SOI材料发光性能的研究较少，因此对它的研制具有广阔的市场发展空间和应用价值。)