成果信息

本成果采用应变量子阱结构降低器件的阈值电流、独特的超大光腔非对称波导结构改善器件的远场特性并提高其腔面COD水平。独有的MOCVD芯片外延技术，可以在原子层量级控制外延层的厚度，使两种材料的界面实现陡峭生长，能精确控制各层中的掺杂浓度，掺杂及厚度均匀性的控制保证了器件量产的一致性。采用离子钝化腔面技术，减少腔面悬挂键，提高器件的可靠性，且无须价格高昂的真空解理设备，降低生产成本。)

背景介绍

半导体激光器具有体积小、重量轻、转换效率高、寿命长等优势，应用范围覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核心技术。半导体激光器在光纤通信、光存储、材料加工及光刻、医疗和美容、娱乐和显示、激光测距、激光雷达、激光武器、激光警戒、激光制导跟踪器等方面获得了广泛的应用，形成了广阔的市场。)

应用前景

以光输出功率在10W以上的9XXnm系列大功率半导体激光器为例，市场需求非常大，仅国内年需就达30万只以上，且市场需求还在不断上升，但目前全部依赖进口。大功率半导体激光器在医疗、工业、通信、军事等领域有着广泛的应用，市场前景广阔。)