成果信息

本技术采用基于溶胶-凝胶的溶液涂覆工艺，突破了制胶、涂覆、空气退火、硒化、回火等一系列工艺难点，获得高结晶质量和低缺陷密度的硒掺杂铜锌锡硫（即铜锌锡硫硒CZTSSe）薄膜。以该薄膜作为光吸收层，同时结合实验室开发的直流溅射Mo、化学水浴沉积CdS、射频溅射沉积本征ZnO和直流溅射沉积铝掺杂ZnO和栅线蒸镀等技术，实现高效率铜锌锡硫硒薄膜太阳电池的制作。批量制得的器件光电转换效率均能够达到8%以上。典型器件的性能如下：开路电压为451 mV，短路电流密度为 31.7mA/cm2，填充因子57.7%，光电转换效率为8.25%。)

背景介绍

铜锌锡硫基半导体有高的光吸收系数和合适的带隙宽度，且不含铟、镓等元素，具有矿源丰富、环境友好等特点，成为新一代薄膜太阳电池光吸收层材料的有力竞争者。)

应用前景

由于该技术具有方法简易、成本低廉、成膜质量高等优点，既避免了肼溶液法环境危害大、操作困难的缺点，又比真空法（溅射或蒸发）的成本低，具有良好的应用前景。)