成果信息

Ga2O3粉末与炭粉混合，研磨2min以上得到前驱物粉体；在经清洗和氢氟酸处理后烘干的衬底上镀厚度5nm-30nm的金属催化剂薄膜；将前驱物粉体和衬底放入等离子增强化学气相沉积系统中进行制备：采用N2和H2反应气压10-100Pa；衬底温度800℃-1100℃；射频电源功率40-90W，调节电源功率至得到稳定的亮黄紫色辉光的等离子气体。本发明摒弃对环境和设备存在污染和腐蚀的NH3，采用简单的实验设备和价格低廉且易获得的原料制备出表面光滑的单晶六方纤锌矿结构氮化镓纳米线，具有典型的纳米线光致发光特性和优异的场发射性能。)

背景介绍

一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料制备与生长领域。)

应用前景

一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料制备与生长领域。Ga2O3粉末与炭粉混合，研磨2min以上得到前驱物粉体；在经清洗和氢氟酸处理后烘干的衬底上镀厚度5nm-30nm的金属催化剂薄膜；将前驱物粉体和衬底放入等离子增强化学气相沉积系统中进行制备：采用N2和H2反应气压10-100Pa；衬底温度800℃-1100℃；射频电源功率40-90W，调节电源功率至得到稳定的亮黄紫色辉光的等离子气体。本发明摒弃对环境和设备存在污染和腐蚀的NH3，采用简单的实验设备和价格低廉且易获得的原料制备出表面光滑的单晶六方纤锌矿结构氮化镓纳米线，具有典型的纳米线光致发光特性和优异的场发射性能。)