成果信息

本发明目的在于克服现有技术存在的不足，而提供一种制备工艺简单、铁电性良好且适用于一类铁电薄膜的微区形貌修饰和图形化的方法。)

背景介绍

1)通过溶胶-凝胶法、物理沉积法或化学气相沉积法等获得的铁电薄膜表面不是很平整，粗糙度值在3～10nm之间；这对后续的刻蚀工艺提出了更高要求； 2)改进铁电薄膜的制备工艺(如溶液的配置、匀胶机的转速、退火温度等)，获得表面形貌较平整的薄膜，然后采用反应离子束刻蚀(RIE)或离子束刻蚀(IBE)等方法进行刻蚀；但是，刻蚀工艺参数并没有得到非常具体的深入研究； [0006] 3)采用RIE技术刻蚀铁电薄膜，虽然会有很大的刻蚀速率，但化学刻蚀的产物会有部分残留在铁电薄膜表面而难以去掉；同时，相对于IBE而言，RIE技术设备昂贵且操作流程较复杂； 4)对于不同晶体结构或组成成份的铁电薄膜，最终刻蚀效果差异较大，没有适用于具体某一类铁电薄膜材料。)

应用前景

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