成果信息

本发明的目的在于提供一种高温下微观结构可控的纳米金属氧化物半导体薄膜电极材料的制备方法，具有成本低、制备简单的优点，且所得材料具备完好的纳米棒微观结构和高光电化学活性。)

背景介绍

金属氧化物因其性质稳定、来源丰富、成本低廉且无毒性等优点引起了人们的格外关注，其中金属氧化物半导体在太阳能光伏电池、光电化学传感器、光催化分解水制氢等领域显示出广泛的应用前景。具有一定微观形貌的纳米金属氧化物半导体,通常拥有更大的比表面积，能有效减少光生电子和空穴的复合，因而具有更优良的光电化学性能。目前，国内外科研工作者已成功制备出了具有各种微观形貌的纳米金属氧化物半导体，如：纳米线、纳米带、纳米片、纳米棒等，并对其光电化学性能进行了深入的研究。为了进一步提高纳米金属氧化物半导体的光电化学性能，提高其结晶度或对其掺杂改性是较常用的方法，而高温煅烧是最常用的处理手段之一。然而纳米金属氧化物半导体的微观结构经高温处理后往往会因为团聚遭到破坏，如何在高温下对纳米金属氧化物半导体的微观结构进行精确控制,获得具有一定微观结构的纳米金属氧化物半导体薄膜电极材料成为大家普遍关心和亟待解决的问题。)

应用前景

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