成果信息

本发明所述的用于控制微纳应变的装置及其采用用于控制微纳应变的装置测量微纳应变的方法具有方法简单，成本底，却能对量子薄膜材料微纳应变进行有效的控制，而且可以大大降低实验成本等特点，能对量子薄膜材料微纳应变进行有效控制。量子薄膜材料即二维纳米层状材料、如：二维的过渡金属硫属化合物、石墨烯、磷烯等。)

背景介绍

材料的力学性能是标称材料的一个重要方面，而应变对于材料本身的物理性能有着巨大的影响。早在1932年，应变对晶体电子学的影响就开始引起广泛的研究，后来利用应变改良半导体器件，已经成为半导体工业中一种不可缺少的技术。尤其是在近来发展迅猛的低维材料中，如纳米管，纳米线，纳米薄膜和单层石墨烯等，力学性能更为优越，同时应变对于材料本身的物理性能影响也更加显著。并在很多情况下表现出强烈的尺度依赖效应。由此对于微观尺度准一维微/纳米材料的力学性能测试以及研究应变(尤其是非均匀应变)对其物理性能的影响显得尤为重要，并且引起了人们对其广泛的研究。并发展出了几种广泛使用的纳米材料应变加载的方法。最近，应变在物理学领域的研究已经成为一个热点，在实验上对量子薄膜材料微纳应变进行有效的控制，将会对应变的研究产生巨大的推动作用。然而，在现有的市场上，还无法买到基于Raman条件下，对量子薄膜材料微纳应变进行有效的控制的简易装置。)

应用前景

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