成果信息

1、本发明可根据防护等级的不同进行增减N+注入区Ⅰ和N+注入区Ⅱ的数量，即若防护等级高，则增加N+注入区Ⅰ和N+注入区Ⅱ的数量，改善器件电流均匀分布的情况，提高器件的鲁棒性，防护等级低，则减少N+注入区Ⅰ和N+注入区Ⅱ的数量，缩小版图面积。 2、本发明的最右侧N+注入区Ⅰ与第一P阱右侧边缘之间的距离S2可调，通过控制S2的大小来调节器件的触发电压，当S2增大时，静电防护器件的触发电压也随之增大。 3、本发明的第一P阱与第二P阱之间的距离S1可调，当S1增大时，使得纵向NPN型三极管的基区宽度也随之增大，减小了纵向NPN型三极管的放大倍数，维持电压随之增加。)

背景介绍

当ESD脉冲加在双向SCR阳极时，N型深阱与第三P+注入区形成反偏PN节。当这个脉冲电压高于这个PN结的雪崩击穿电压的时候，器件的内部就会产生大量的雪崩电流，电流的流通路径为经过第二P阱寄生电阻流向了另一端，既阴极。当这个寄生的阱电阻两端的电压高于纵向NPN三极管的cb结（由第二P阱与第二N注入构成）的正向的导通电压的时候，此三极管开启。此三极管开通后，为横向PNP三极管提供基极电流，横向PNP三极管也开启后，也为纵向NPN三极管提供基极电流，构成正反馈回路。所以就算之后没有雪崩电流，由于三极管导通，也可以泄放静电。双向SCR为一个对称结构，当阴极出现ESD脉冲的时候，N型深阱与第二P+注入区产生的PN结雪崩击穿，使得PNP三极管与NPN三极管先后导通泄放静电。但是SCR具有高触发电压以及低维持电压，易超出设计窗口，容易造成闩锁，故需要提高其维持电压。但是提高维持电压的方法，会降低器件的鲁棒性，所以还需要着重考虑其鲁棒性。)

应用前景

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