欢迎来到潇湘科技要素大市场怀化分市场
 您当前位置:技术交易 > 

利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法


行业类别:高分子材料
所处阶段:小试阶段
持有单位:哈尔滨工业大学
转让方式:技术转让,技术许可,
转让价格:面议

成果信息

利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法,涉及沉积DLC薄膜的装置和方法,目的是为了克服由于现有技术所采用方法的局限性,导致无法灵活地对工件的局部进行镀膜的问题,装置包括笼网、真空室、高压脉冲电源、偏压脉冲电源和解耦装置;笼网装置在待镀膜工件之间具有间隙且绝缘,笼网与待镀膜工件总体构成空心阴极放电结构;方法具体步骤如下:步骤一、沉积硅过渡层;步骤二、沉积薄膜。本发明的有益效果是:装置简单,笼网大小可以根据所需镀膜范围任意调节,能够满足不同尺寸表面的局部镀膜要求,灵活性好。)

背景介绍

/)

应用前景

/)