成果信息

IGCT由门极换流晶闸管GCT（Gate Commutated Thyristor）和集成门极驱动单元共同组成。由于集成门极驱动单元承担了所有驱动、控制和保护的任务，使用者只需要提供电源和光纤控制信号，就可以简单地实现对IGCT器件开通关断的控制。 北京交通大学电气工程学院自2004年开始开展IGCT集成门极驱动技术的研究，成功研制了4000A/4500V不对称型和1100A/4500V逆导型IGCT器件集成门极驱动单元，在国内率先掌握相关核心技术并完成了产品的试验测试，已申请相关专利5项，拥有IGCT集成门极驱动技术的完全自主知识产权。在科技部科技支撑计划项目的支持下，北京交通大学电气工程学院正与国内多家企业合作，积极开展国产IGCT器件应用技术的研究，共同推进自主大功率电力电子器件的产业化进程。 )

背景介绍

IGCT（Integrated Gate Commutated Thyristor，集成门极换流晶闸管）是在晶闸管（SCR）和门极可关断晶闸管（GTO）基础上发展起来的一种大功率半导体开关器件。)

应用前景

IGCT结合了GTO和IGBT的优点，拥有晶闸管低通态压降和高阻断电压以及IGBT稳定可靠的关断性能，并在功率和电压等级、开关速度、工作损耗以及成本等方面都具有明显的优势，是一种非常适合高压大功率领域要求的全控型电力电子器件。在高压逆变器、高压风力发电变流器、脉冲电源、静止同步补偿器（STATCOM）等大功率电力电子装置领域具有广阔的应用前景。)