成果信息

氮化铝（AlN）陶瓷是近年来电子工业中一种十分热门的材料，因其具有高的热导率（接近碳化硅和氧化铍，是氧化铝的5-10倍）、低的介电常数和介质损耗、良好的电绝缘特性以及与硅、砷化镓相匹配的热膨胀系数，与氧化铍陶瓷相比，氮化铝陶瓷不具有毒性；其生产成本较低，因此，氮化铝陶瓷是目前最为理想的高性能陶瓷基板和封装材料，并有逐步取代剧毒氧化铍陶瓷和低性能氧化铝陶瓷的强劲趋势。 )

背景介绍

氧化铍陶瓷由于其机电特性、热特性是其他陶瓷无法比拟的，因此得到了广泛应用，特别是在一些特殊应用领域，其他陶瓷材料是不可取代的。然而，氧化铍的毒性是不可忽略的，随着世界各国对环境保护的日趋重视，氧化铍陶瓷的使用今后可能会受到一定的限制和影响。)

应用前景

该项目可应用于氮化铝陶瓷在多芯片模块、微波功率放大器、激光二极管载体、大功率LED封装领域，其具有广泛的应用前景，经济效益显著。)