成果信息

铝碳化硅电子封装材料具有热导率高、密度小、膨胀系数可调、易于近净成形复杂构件、生产成本较低等特点，是第三代热管理材料的代表。本项目采用预制件成型加液相压力浸渗技术制备铝碳化硅电子封装材料及构件，整体技术处于国内先进水平。获授权发明专利1项，实用新型专利2项，在第六届国际发明专利展中荣获金奖。其主要技术参数如下： 1、碳化硅体积分数：30～74%可调 2、膨胀系数：20℃-125℃在(6.2～13.5)×10-6/℃间可调 3、室温热导率：＞150W/m.K，最高超过260W/m.K 4、构件尺寸：Lmax＞250mm，Wmax>250mm；最薄可至0.5mm 5、气密性：＜5×10-9 6、构件机械加工精度：铣削加工尺寸±0.05mm；平面度＜0.05mm；平行度＜0.05mm；粗糙度：磨削加工＜0.16mm；铣削加工＜0.8mm 7、化学镀镍：镀层经450℃×2min考核，不起泡，不变色 )

背景介绍

微电路组件壳体封装时所用材料需要能同时满足高热导率、低密度、膨胀系数与低温共烧陶瓷匹配、良好的机械性能与加工特性、良好的激光焊接特性等要求，才能使得封装后壳体可靠性有所保障。同时微电路组件壳体封装材料在生产过程中壳体底板的变形量不能大于 0.10mm。)

应用前景

铝碳化硅电子封装材料及构件现已广泛用作CPU盖板、大功率高可靠IGBT模块底板、超高亮度LED底板和微波功率组件管壳，在微电子器件、光电器件、电力电子器件等领域具有非常广泛的应用前景。)